南大光电高端ArF光刻胶有所突破 未来可用于7纳米工艺


时间:2021-06-02  来源:  作者:  点击次数:


原标题:南大光电高端ArF光刻胶有所突破。未来可用于7纳米工艺。来源:快速技术

在半导体制造中,国内厂商不仅需要突破光刻机等核心设备,还需要突破光刻胶。南大光电近日宣布,NTU研发的高端ArF光刻机已通过国内某企业55nm制程制造认证。

南大光电5月31日晚宣布,控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶于2020年12月通过了某存储芯片制造企业50nm闪存平台的认证,近期在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破,表明公司的光刻胶产品已经达到了55nm平台背面金属布线层的工艺要求。

但南大光电没有透露具体客户名称。

在光刻机市场,国内自给率极低,欧美日厂商占据主要份额,JSR、信越化工等排名前五的厂商占据全球份额的87%。

光刻胶有不同的技术类别。低端中G线/i线光刻胶自给率在20%左右,KrF光刻胶自给率不到5%,而高端ArF光刻胶完全依赖进口,是国内半导体贴颈技术之一。

南大光电的ArF光刻胶虽然通过了55nm工艺认证,但ArF光刻胶涵盖的工艺技术范围很广,可以用于90nm-14nm甚至7nm工艺节点制造工艺,广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、存储芯片、AI芯片、5G芯片、云计算芯片等)。).


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